Circuito integrado de memória flash MT29F32G08CBABA NAND

Product Description

Circuito integrado de memória flash MT29F32G08CBABA NAND

Recursos
Interface NAND aberta (NFI Flash) (compatível com ONFI) 2.1 compatível com
1
Tecnologia a células em camadas (MLC)
Organização
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Tamanho da página x8: 4320 bytes (4096 + 224 bytes)
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Tamanho do bloco: 256 páginas (1024K + 56K byte)
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Tamanho do plano: 2 pisos x 2048 blocos por andar
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Tamanho do dispositivo: 32 Gb: 4096 blocos; 64 GB: 8192 blocos; 128 GB: 16.384 blocos; 256 Gb: 32.768 blocos
Desempenho de E / S síncrona
–
Até sincronização síncrona 4
–
Frequência de clock: 12ns (DDR)
–
Desempenho de E / S assíncrona
–
Até sincronização assíncrona 4
–
t
RC /
t
WC: 25ns (MIN)
Desempenho da matriz
–
Leia a página: 50 s (MAX)
– < Página de programa: 900 s (TYP)
–
Bloco livre: 3 ms (TYP)
Faixa de tensão operacional
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V
CC
: 2.7-3.6 V
–
V
CCQ
: 1.7-1.95 V, 2.7-3.6 V
comandos: ONFI NAND Flash Protocol
Conjunto avançado de comandos
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Cache do programa
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Leia o cache seqüencial
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Leia o cache aleatoriamente
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–
Controles de vários planos
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Operações de vários LUNs
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Leia ID exclusivo
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Copyback
O primeiro bloco co (endereço de bloco 00h) válido quando enviado da fábrica. Para obter o ECC mínimo necessário, consulte Tratamento de erros (página 108).
RESET (FFh) necessário como primeiro comando após a ligação.
O byte do status operacional fornece o método de software para detecção
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Conclusão da operação
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Condição de aprovação / reprovação
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Status da proteção contra gravação
Os sinais estroboscópicos de dados (DQS) fornecem um método de hardware para sincronizar dados DQ na interface síncrona.
Operações de copyback suportadas no plano a partir do qual os dados são lidos
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Retenção de dados: 10 anos
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Resistência: 5000 ciclos de PROGRAMA / APAGAR
Temperatura de operação:
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Comercial: de 0 C a + 70 C
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Industrial (IT): de até +/> Pacote
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LGA 52 pad
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TSOP de 48 pinos
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BGA de 100 esferas