Circuit intégré de mémoire flash NAND MT29F32G08CBABA

Product Description

MT29F32G08CBABA Mémoire flash NAND Circuit intégré

Caractéristiques
Interface Flash NAND ouverte (ONFI) compatible 2.1
1
Technologie a cellules en couches (MLC)
Organisation
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Taille de la page x8: 4320 octets (4096 + 224 octets)
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Taille du bloc: 256 pages (1024K + 56K octets)
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Taille de l’avion: 2 étages x 2048 blocs par étage
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Taille de l’appareil: 32 Go: 4096 blocs; 64 Go: 8192 blocs; 128 Go: 16,384 blocs; 256 Go: 32 768 blocs
Performances d’E / S synchrones
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Jusqu’à synchronisation synchrone 4
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Fréquence d’horloge: 12ns (DDR)
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Performances d’E / S asynchrones
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Jusqu’à synchronisation asynchrone 4
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t
RC /
t
WC: 25ns (MIN)
Performance de la baie
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Lire la page: 50 s (MAX)
– < br/> Page du programme: 900 s (TYP)
–
Bloc clair: 3 ms (TYP)
Plage de tension de fonctionnement
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V
DC
: 2,7-3,6 V
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V
CCQ
: 1,7-1,95 V, 2,7-3,6 V
Ensemble de commandes: ONFI NAND Flash Protocol
Jeu de commandes avancé
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Cache de programme
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Lecture du cache séquentiel
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Lecture du cache au hasard
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Commandes multi-plans
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Opérations multi-LUN
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Lire l’identifiant unique
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Copyback
Le premier bloc co (adresse de bloc 00h) valable à l’expédition de l’usine. Pour l’ECC minimum requis, reportez-vous à la section Gestion des erreurs (page 108).
RESET (FFh) requis comme première commande après la mise sous tension
L’octet d’état opérationnel fournit la méthode logicielle de détection
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Fin de l’opération
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Condition de réussite / d’échec
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État de protection en écriture
Les signaux de stroboscope de données (DQS) fournissent une méthode matérielle pour synchroniser les données DQ dans l’interface synchrone
Opérations de recopie prises en charge dans le plan à partir duquel les données sont lues
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Conservation des données: 10 ans
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Résistance: 5000 cycles PROGRAMME / EFFACEMENT
Température de fonctionnement:
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Commercial: de 0 C à + 70 C
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Industriel (IT): de à +/> Package
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Coussin LGA 52
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TSOP 48 broches
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BGA 100 billes